R
rock_zhu
Guest
nogen kan give mig en konkret forklaring?Jeg ved ikke, hvorfor Vt er reduceret med Vds increasing.thx!
J
jcpu
Guest
Hello:
"drain induceret barriere sænkning"
en meget typisk kort kanal virkning,
viden kan findes på websites som:
www.stanford.edu/class/ee316/MOSFET_Handout5.pdf
ECE-www.colorado.edu / ~ bart/book/book/chapter7/ch7_7.htm
www.cs.ucl.ac.uk / staff / d.quercia / projekter / VLSI / talk.ppt
grunden for lange kanal enhed, IDS er udelukkende kontrolleres af Vgs,
mens det for meget kort kanal enheder, øge afløb spænding
kan også påvirke det elektriske felt distribution under gate-oxid,
og dermed reducere den femte .... øge lækstrøm.
Hope that helps
"drain induceret barriere sænkning"
en meget typisk kort kanal virkning,
viden kan findes på websites som:
www.stanford.edu/class/ee316/MOSFET_Handout5.pdf
ECE-www.colorado.edu / ~ bart/book/book/chapter7/ch7_7.htm
www.cs.ucl.ac.uk / staff / d.quercia / projekter / VLSI / talk.ppt
grunden for lange kanal enhed, IDS er udelukkende kontrolleres af Vgs,
mens det for meget kort kanal enheder, øge afløb spænding
kan også påvirke det elektriske felt distribution under gate-oxid,
og dermed reducere den femte .... øge lækstrøm.
Hope that helps
W
Willt
Guest
Hej ven,
DIBL står for dræn-induceret barriere sænkning.
Overvejer en NMOS, når Vds stiger med faste Vgs, dybden af nedbrydningen regionen på tværs af afløbet (n ) og størstedelen (p fastsat til Vss) stiger [mere reverse-partiske].Som et resultat, region mindre på tværs af en MOS er behov for at være udtømt, og derefter danne en kanal.
Vt tærskel spænding er det nødvendige minimum for spænding, der skal anvendes til gaten for at danne en kanal i MOS.Til at danne en kanal, regionen på tværs af en MOS er behov for at være den første forarmet ved at øge den gate spænding, da en kanal er dannet, hvis vi fortsat gøre.
Som konklusion, er, hvis vi øger Vds, mindre område på tværs af et MOS for at blive decimeret, og dermed mindre gate spænding er nødvendig for at danne en kanal på tværs af et MOS.
Oplyse mig, hvis jeg har lavet nogen fejl ~
Vil
DIBL står for dræn-induceret barriere sænkning.
Overvejer en NMOS, når Vds stiger med faste Vgs, dybden af nedbrydningen regionen på tværs af afløbet (n ) og størstedelen (p fastsat til Vss) stiger [mere reverse-partiske].Som et resultat, region mindre på tværs af en MOS er behov for at være udtømt, og derefter danne en kanal.
Vt tærskel spænding er det nødvendige minimum for spænding, der skal anvendes til gaten for at danne en kanal i MOS.Til at danne en kanal, regionen på tværs af en MOS er behov for at være den første forarmet ved at øge den gate spænding, da en kanal er dannet, hvis vi fortsat gøre.
Som konklusion, er, hvis vi øger Vds, mindre område på tværs af et MOS for at blive decimeret, og dermed mindre gate spænding er nødvendig for at danne en kanal på tværs af et MOS.
Oplyse mig, hvis jeg har lavet nogen fejl ~
Vil
E
eezou
Guest
DIBL er drain induceret barriere sænkning.
Du kan lære af halvleder enhed fysik
Du kan lære af halvleder enhed fysik
R
rock_zhu
Guest
Tak for jeres entusiastiske hjælp.
A
abhi_123
Guest
Læs enten Weste eller Kang for konceptet bag "Drain induceret Barrier Sænkning".
Hilsen,
Abhi
Hilsen,
Abhi
M
manissri
Guest
DIBL står for afløb inducerede barried sænkning.
faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsenLagt efter 2 minutter
IBL står for afløb inducerede barried sænkning.
faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsenTilføjet efter 3 minutterIBL står for afløb inducerede barried sænkning.
faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsen
faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsenLagt efter 2 minutter
IBL står for afløb inducerede barried sænkning.faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsenTilføjet efter 3 minutter
IBL står for afløb inducerede barried sænkning.faktisk hvor u stigning ur drain spænding ur mos uden at øge porten spænding derfra ret til spænding forskel dæmningen kilde vil falde, og der er løbende flow i mos uden at øge gate spænding.
Det er en form for lækstrøm.
Hope this helps u.
hilsen