Forskellen mellem beta og gm

[mona123]

Hvornår vil man overveje at beta og hvornår vil man overveje at GM for design ved hjælp af BJT? Tak.

 

[tahir4awan]

Jeg tror du blander BJT få beta med FET transconductance gm. Beta er forholdet mellem collecter nuværende at basere den nuværende, dvs indgang er base nuværende Ib og output er samler aktuelle Ic. Transconductance er forholdet mellem drain strøm til gate spænding, altså indgangen er porten til kilde spænding Vgs og produktionen er afløb nuværende Id.

 

[mona123]

thats ikke sandt. i BJT RPI = beta / GM. hvad jeg spørger mig selv, er generelt beta varierer meget over processen og jeg har læst i bøger, som du bør gøre beta ufølsom design, så gad vide ikke GM har nogen anden rolle i design?

 

[Miguel Gaspar]

β = ΔIc / ΔIb for AC signal β = Ic / Ib til DC for bias punkt, der er er aktuel gevinst dog gm er transconductance parameter gm = Ic / VΠ for den hybride model pi

 

[mona123]

thats korrekte Miguel, men hvad er den praktiske betydning af det i design?

 

[siilviu]

Når du designer bruger bjts, jeg tror β bør betragtes mere af en parameter transistoren kom med fra produktionsprocessen, f.eks β = 100 for en NPN eller β = 20 for en PNP. Indsamleren nuværende er base nuværende multipliceres med denne faktor β. På den anden side er GM mere af en parameter, som brugeren må justere afhængigt specs. Ved stue temp. GM kan estimeres ved 40Ic, hvor Ic er PSF nuværende (ingen ac biassing). Så alt hvad Q point du valgte for BJT, vil du have en vis gm.

 

[Kral]

Fra et praktisk synspunkt, hvis du designer med diskrete BJT transistorer (i modsætning til IC design) er Beta gives i transistor datablade, GM er det ikke.