Functin af kanalen, når p-type port til NMOS & N-type

[rajesheee235]

hej,Kan nogen fortælle mig, hvad der sker til den kanal witdth og Vt, når p-type port til NMOS & N-type til p-Mos?

 

[protonixs]

venligt omformulere eller uddybe ...jeg dont forstår, hvad du mener.

 

[rajesheee235]

hvad sker der, hvis vi gjorde porten i N-MOS foretaget af p-type materiale, og gate i p-MOS foretaget af N-type materiale.Enhver ændring i Threshold vaoltage?Faktisk er jeg spurgte dette, fordi i en af PDF jeg så, at porten i P-MOS foretaget af P-type materiale, og Gate i N-MOS Lavet af N-type materiale

 

[malizevzek]

er ikke den port, der faktisk lavet af polysilicon?

 

[rajesheee235]

Tak, for ur immideate Respone.

her er jeg, der er knyttet til figur.Nøjagtig jeg heller ikke vide, men hvad sker der, hvis vi gør sådan?
Beklager, men du skal logge ind for at se denne vedhæftede fil

 

[malizevzek]

Nu forstår, hvad du mente.

Hvis du ændrer materiale (det vil sige, at doping af polysilicon gate), du ændrer sit arbejde funktion, og dermed den tærskel spænding.

 

[rajesheee235]

thanks for ur replay,

can u pls forklare, hvad der sker med den måde?er det var at bruge fuld for fremtidige formål?

er nogen instans ved hjælp af denne proces, hvis du bruger, hvor det er?For hwta formål?

Kunne u afgøre mig er det et godt spørgsmål?nogle fortæller det har nogen betydning?

 

[malizevzek]

kan du omformulere det spørgsmål, jeg er bange for jeg ikke forstår dig

 

[rajesheee235]

hvorfor så?.

kunne u pls se 2. budskab, som jeg sendte tidligere?u kan få klart.

 

[jecyhale]

rajesheee235 skrev:

hvad sker der, hvis vi gjorde porten i N-MOS foretaget af p-type materiale, og gate i p-MOS foretaget af N-type materiale.
Enhver ændring i Threshold vaoltage?Faktisk er jeg spurgte dette, fordi i en af PDF jeg så, at porten i P-MOS foretaget af P-type materiale, og Gate i N-MOS Lavet af N-type materiale

 

[llbaobao]

jecyhale skrev:rajesheee235 skrev:

hvad sker der, hvis vi gjorde porten i N-MOS foretaget af p-type materiale, og gate i p-MOS foretaget af N-type materiale.
Enhver ændring i Threshold vaoltage?Faktisk er jeg spurgte dette, fordi i en af PDF jeg så, at porten i P-MOS foretaget af P-type materiale, og Gate i N-MOS Lavet af N-type materiale