I en forberedelsesfasen, er hele åbent PN krydset af diode belagt med en passivering glaslag. Den passivering glas lag er anvendt på hele skære arealet for hver diode chip og affyrede separat i løbet af forberedelsen procedure. Den åbne PN krydset af glasset passiviseret silicium halvleder-diode chip har en positiv facetslebne snit, hvorved det omvendte spænding resistens kan blive forstærket og muligheden for udsivning kan reduceres.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
