E
electronics_kumar
Guest
Det kan lyde som et lille spørgsmål til nogen ....
I BJT basisareal blev holdt lille til at opnå mindre transit tid .. kan somemore pluspoints også .. men i Phototeansistor basisareal er stor ... hvorfor det så?
(er der nogen afvejning mellem transit tid og faktor 'X' i phototransistor.What 'X'?
I BJT basisareal blev holdt lille til at opnå mindre transit tid .. kan somemore pluspoints også .. men i Phototeansistor basisareal er stor ... hvorfor det så?
(er der nogen afvejning mellem transit tid og faktor 'X' i phototransistor.What 'X'?