Hvis Hspice støtte EKV model

[Jenifer_gao]

Hej alle:

Enhver ved, hvis Hspice støtte EKV model?Det forekommer ikke i henhold til EPFL-EKV hjemmeside, men jeg er ikke sikker.
Hvis det understøtter, kan du fortælle mig de oplysninger, eller de nyttige link.

Tak.

J

 

[ambreesh]

Kære Jenifer_gao,
HSPICE level55 modeller er for det samme.Det er for bulk omhandlede udstyr
Det er, hvad hspice manuel udløsning 2.001,2 siger.
Men du bør have model parametre.

 

[Jenifer_gao]

Hi Ambreesh:

Tak for svaret, manuel du nævnt synes start-Hspice.Hvis star-Hspice er samme som Hspice?

ambreesh wrote:HSPICE level55 modeller er for det samme.
Det er for bulk omhandlede udstyr

Det er, hvad hspice manuel udløsning 2.001,2 siger.

Men du bør have model parametre.

 

[ambreesh]

Kære Jenifer_gao,
Ja star-hspice er samme som Hspice.
Avat sælges HSPICE til synopsys
Hvis du donot have manual jeg kan overføre det.

 

[Jenifer_gao]

Hi Ambreesh:

Tak for clarifiction.Jeg har allerede fået en manual fra internettet.Tak.Men kan jeg har endnu et spørgsmål til dig:

Mange design pakker giver ikke EKV model, men de fleste af dem giver BSIM model.Det betyder, jeg er nødt til at skabe de EKV model parameter filer ved mig selv.Jeg ved EPFL har et værktøj kaldet BSIM2EKV, og jeg forsøgte at sende en formular til at bede om det, men jeg har ikke fået svar.Mit spørgsmål er, hvis du nogensinde har skabt EKV model filen ved dig selv, især for submicron teknologi?Hvis du gjorde det, hvordan har du det?Alle forslag vil blive værdsat.Tak.

J

 

[ambreesh]

Kære Jenifer_gao,
Jeg har aldrig gjort det.Men du kunne mail til Nathan på edaboard, han var på udkig efter det samme.
En meget hjælpsom person

 

[cascode]

Kære Jenifer_gao

Jeg har en vis erfaring med EKV model, da jeg har gjort flere meget lav effekt design, og jeg bruger det i udstrakt grad for analog konstruktion, skyldes det "niveau for inversion design metode« (se nedenfor).Der er et hjælpeprogram fra EPFL kaldet BSIM2EKV, som vil generere en EKV 2,6 model fra BSIM3V3.Det er ikke perfekt, men et godt udgangspunkt.Husk, der passer til en model, der i sig selv ikke er perfekt!.Hvis det er muligt at få faktiske transistor data, der er bedre.

Typisk nogle finjustering vil være behov for at få den bedste model er muligt, da BSIM2EKV bruger en 'blind' software optimeringsforslag metode.I almindelighed, med EKV 2.6, kan du få ganske god matching fra lav til moderat gate spænding (i forhold til den proces).Ved høje gate voltrages, manglen på anden ordens mobilitet model gør det vanskeligere at få et godt match både i lineære og mætning regionen.Det er normalt relativt let at få en rigtig god kamp for bred, lang og lang / kort.Kom godt i den samme model, der passer godt for smal / bred og smal / kort er vanskeligere.Men i almindelighed, gm / id kurven vil give gode resultater, selv om den spænding er ikke perfectely spillet, da det er forbundet med modellen.

Den kommende EKV 3.0, er lige nu i færd med at blive implementeret i simulatorer, vil skala meget bedre og bør være en bedre model for alle teknologier, ned til <0.1um.

En refernce om almindelig brug af EKV model:
http://legwww.epfl.ch/ekv/workshop/pdf/2_EKV_UMW04_Patrick_Mawet.pdf

 

[andy2000a]

som Fab brug ekv model??som jeg kender tsmc umc ikke denne model, hvad "stor" forskel mellem EKV model og bsim?

 

[ambreesh]

Stor forskel så vidt jeg ved.
Kig på no.parametre er nødvendige for HSPICE 49 model og stadig kan det ikke model sub-tærskel godt.EKV har brug for omkring 20 parametre, og gør et godt stykke arbejde.for subthreshold design.
EKV modeller bulk nævnt men bsim er kilde nævnt.Begge har fordele og ulemper.
Tsividis bog nævner i detaljer om fordelene og ulemperne ved de samme

 

[Jenifer_gao]

Hi Cascode:cascode wrote:

Kære Jenifer_gaoJeg har en vis erfaring med EKV model ...

kan du få ganske god matching fra lav til moderat gate spænding (i forhold til den proces).
Ved høje gate voltrages, manglen på anden ordens mobilitet model gør det vanskeligere at få et godt match både i lineære og mætning regionen.
Det er normalt relativt let at få en rigtig god kamp for bred, lang og lang / kort.
Kom godt i den samme model, der passer godt for smal / bred og smal / kort er vanskeligere.
Men i almindelighed, gm / id kurven vil give gode resultater, selv om den spænding er ikke perfectely spillet, da det er forbundet med modellen.En refernce om almindelig brug af EKV model:

h ** p: / / legwww.epfl.ch/ekv/workshop/pdf/2_EKV_UMW04_Patrick_Mawet.pdf