hvor mange hjørne tilfælde at sikre kredsløbet bliver masse producere

[purefen]

Dears:
Selv om en designer bør vide, hvilke hjørne fald vil forringe effektiviteten af dine designet kredsløb.Men det er måske den værste sag, der er ude af 3-sgma ramge.Hvis forsøget på at overvinde de værste tilfælde, området og effekt af kredsløbet vil rejse.Vil du gøre det?Hvor mange hjørne tilfælde at sikre kredsløbet bliver masse producere?
hjørne tilfælde:
rratio, cratio, i_ratio (intern nuværende), ixp_ratio (ekstern currnet), MOS (TT, ff, fs ,....)......
BR.purefen

 

[micel99]

Som jeg forstår, det afhænger af, hvor meget værre, du forventer, at processen kan være.

 

[eeweiboy]

nogle bedre FAB kontrollere deres proces i TT hjørne

 

[efterladtepension]

Hej,

Fra min erfaring, jeg normalt bruger folloing betingelse;
(PS: Tag 0.35um proces som eksempler for forbrugeren produkt)
1.Vcc: 2.9V, 3.3V, 3.7V
2.TEMP:-20C, 40C, 100C
3.Proces hjørne: Typ, FNFP, SNSP, FNSP, SNFP
4.Modstand værdi: 70%, 100%, 130%
5.Cap værdi: 80%, 100%, 120%

Så den samlede betingelse = 3x3x5x3x3 = 405 tilstand.

 

[Humungus]

Survivor er i vejen, men hjørne analyse giver ret pessimistiske resultater.Det betyder, at du skal overstørrelse dit design (er og elforbrugsværdier) til at opfylde dine kredsløb fungerer godt i hvert hjørne (som overlevelseslokaliseringslys sagt: et parti).

Normalt, selv om det er mere tidskrævende, Monte Carlo analyse, hvis du har nogle sammenhænge defineres mellem de hjørner af dine enheder, give mere realistiske resultater.AMS har skrevet nogle præsentationer der viser en anden metode kaldet statistisk hjørne, hvor der tages hensyn til, at hjørner parameter af dine enheder er ikke uafhængige af hinanden.Dette resulterer i en korrelation mellem parametre, reducere det antal og redigering af "form" i løbet af hjørner.

Se attachements
Beklager, men du skal login for at se denne tilslutningskrav

 

[purefen]

Dears:
Tak for dit svar.Læs alle svarene på din, jeg thinsk at Humungus forslag er mere realitic og logisk.Jo mere hjørnet er,
jo mere træt designeren er.Som følge heraf vil jeg forsøge at finde ud af den strøm, som Humungus nævne og bekræfte det.Thank you a lot.
BR.purefen

 

[mode]

Jeg synes jo bedre, men det vil påvirke det tid til markedet, så mindst 5 cornners.

 

[electronrancher]

405 hjørner?nej, designer's opgave er at producere kredsløb, ikke sim 7-transistor op amp for 6 uger.

min mening er, at fs / sf er sjældne, og jeg bruger dem til at finde ud af, hvilken variant af transistor der ikke opfører sig korrekt, når et kredsløb falder ned af en klippeside i FF / ss.

grunden fs / sf er sjældne, fordi vigtigste faktor i fastness er Tox, hvilket er omtrent ens for alle mosfets i et givet område.

faktisk, jeg forsøger ikke at afhænge hjørner for regne ud, hvad jeg allerede ved det -
f.eks lad os tænke på en OP-amp.vigtigste specs er vinde og fase.gevinst er værst ved varm / langsom, så opfylder gevinst ved hjælp af varm / langsom.fase margen er værst ved kulde / hurtige, så brug koldt / hurtigt at tilfredsstille fase margin.

kun, hvis du ikke forstår et kredsløb bør du køre alle hjørner (jf. fs SF).og så skal du køre dette hjørne over temp for at finde den delta.

dvs - kulde gør hurtigt, varmt gør langsomme, så -40,
140 på FF kan du se, hvor hver enhed fungerer som det sinker i det hurtigste zone, får du en skråning i en skråning.forstå, og du
vil krumtappens ud 10 chips i den tid, som andre køre 405 hjørner på en enkelt blok ..

ps - typ typ er givet.bør du nok trække i typ typ initally, men jeg ville ikke bruge en hel Lotta kørelyslygter spænding og temp hjørner på typ typ hvis dit kredsløb passerer dem hjørner på hurtig
og langsom!.

bare min mening, og denne gang vil jeg ikke selv opkræve dig de to cents jeg normalt gør.

 

[CDRCDR]

Jeg simulere SS første

 

[ecijun]

takket Humungus

 

[leo_o2]

Du kan ansætte Monte Carlo analyse for det.
F.eks. TRAN 1n 10N Sweep MONTE = val
Du kan bruge 30 for val at opnå en 99% mulighed fra de normale 80% mulighed.

 

[selvaraja]

1.Run simulation alle proces hjørne Typiske, FNFP (hurtig NMOS hurtigt PMOS, SNSP
(langsom NMOS langsom PMOS), FNSP (hurtig NMOS langsom PMOS, SNFP (langsom NMOS hurtigt PMOS).

2.Simulate for / - 10% fra Forsyningsspænding

3.temperatur -40 til 120 grader.

Deres design er pass hvis mødes mindst 70-80% af alle hjørne parameter

 

[nus_lin]

at der er stor, konstaterede jeg, hvad jeg søger.(Undskyld, jeg er nødt til at få nogle point for at hente filen)

 

[andy2000a]

hvis kredsløb omfatter bandgap eller brug parasitaere BJT celle
men mange model kun Typ BJT model, hvordan simulation det?

 

[ambreesh]

Kære Andy2000a,
Skift ER vaue givet i modellen for BJT ved / - 30%.

 

[Teddy]

Det hele afhænger af, hvis din forvaltning kan forstå, hvad du laver - er tekniske eller ej.
Hvis ikke
vil du ende med at simulere alle hjørner og Montecarlo.
Have det sjovt

Du bør også overveje at bedste tilfælde (3 sigma) ikke ske.Men-3sigma sker relativt ofte (i en stor ting), så du bør køre VAR.Montecarlo er mere realistisk for sikker.
Det afhænger også af, om du kan leve med tanken om ophugning af et parti, hvis det var en.