C
CQCQ
Guest
Hej! Hvorfor 'gate bredde «er vigtigt i forstærkeren eller IC?store gate bredde eller lille gate bredde, der er godt og hvorfor?
THS!
-CQCQ
THS!
-CQCQ
D
deh_fuhrer
Guest
Mere er porten bredde mere er Transconductance af enheden ....
K
khouly
Guest
som porten bredde stigning, der betyder mere strøm kan passere gennem ur enhed, og også transcondacutanc
Dette betyder højere gevinst
khouly
Dette betyder højere gevinst
khouly
R
roadbuster
Guest
Afløbet aktuelle af en n-type MOSFET i mætning er givet ved:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' title="3 $ I_ (DS) \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (1) (2) \ mu_ 
C_ (ox) \ frac (H) (L) \ left [2 (V_ (gs ) - V_ (t)) V_ (ds) - V_ (ds) ^ 2 \ right]" alt='3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' align=absmiddle>term refers to the gate width of the transistor.
W
Udtrykket refererer til gaten bredden af transistoren.Som du kan se, vil øge Ledsbredde øge afløbet strøm transistoren.Fordelene ved en højere afløb nuværende burde være indlysende.
Den Transconductance af N-type MOSFET i mætning er givet ved:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ G_ (m) \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (dI_ (d)) (dV_ (gs)) | _ (V_ (ds) = const) \ hspace (4mm) = \ hspace ( 4mm) \ mu_ C_ (ox) \ frac (H) (L) (V_ (gs) - V_ (t))" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>Endnu en gang er der en lineær sammenhæng mellem Transconductance og transistor gate bredde.En højere Transconductance betyder, at du kan bygge en forstærker med en højere gevinst.
C_ (ox) \ frac (H) (L) \ left [2 (V_ (gs ) - V_ (t)) V_ (ds) - V_ (ds) ^ 2 \ right]" alt='3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' align=absmiddle>term refers to the gate width of the transistor.W
Udtrykket refererer til gaten bredden af transistoren.Som du kan se, vil øge Ledsbredde øge afløbet strøm transistoren.Fordelene ved en højere afløb nuværende burde være indlysende.
Den Transconductance af N-type MOSFET i mætning er givet ved:<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ G_ (m) \ hspace (4mm) = \ hspace (4mm) \ frac (dI_ (d)) (dV_ (gs)) | _ (V_ (ds) = const) \ hspace (4mm) = \ hspace ( 4mm) \ mu_
C_ (ox) \ frac (H) (L) (V_ (gs) - V_ (t))" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>Endnu en gang er der en lineær sammenhæng mellem Transconductance og transistor gate bredde.En højere Transconductance betyder, at du kan bygge en forstærker med en højere gevinst.