Metaller, der anvendes til fremstilling i ICS i hvert lag

[jagz]

Hej, jeg vil gerne vide hvor alle metaller, der benyttes i de enkelte dirigeres lag, mens opdigte ICS. Som magt og jord net er udlagt i højere lag, hvor modstanden er mindre, jeg tror metaller, der benyttes til forskellige lag. Kan nogen venligst kaste lidt lys over dette spørgsmål. Tak på forhånd:. |

 

[erikl]

Enten Al (for processer> ≈ 180nm) eller Cu (for mindre proces størrelser). Højere lag, hvor modstanden er mindre, er tykkere.

 

[yadavvlsi]

Oprindeligt metalization blev gjort ved hjælp aluminium til alle lag. Men aluminium lider et alvorligt problem med electromigration. Electromigration reducerer bredden af metal lag i høj strømtæthed områder med den tid, hvilket igen mindsker pålidelighed på lang sigt af chip. Aluminium har små korngrænserne så electromigration kan ske nemt. Blanding kobber kan forhindre electromigration op til en vis grad. Men da teknologien skrumper ned, så bredden af metal lag. Dette fører til høje strømtætheder, som igen forårsager electromigration i aluminium base metalization. Dette også medføre øget metallag modstand. Dette vil øge RC forsinkelse, der begrænser hastigheden. Så i sub-micron teknologi kobber anvendes som interconnect materiale. For at få mindre mindre modstand lag kan gøres bredere. Generelt bredde af metal lag stiger som vi går op ..