Jeg søger oplysninger om effektiv området mobilitet model for MOS transistor.Er en global (og ikke et lokalt, dvs i et punkt i kanalen) formlen findes?
Hvem kan hjælpe mig?
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
