Re: CMOS grundlæggende spørgsmål: mættede transistor

[Dinamovist]

Jeg har et temmelig grundlæggende spørgsmål om CMOS enheder.Lad os sige ved siden af de velkendte ligning, hvad der er den virkelige betydning af mætning betingelse??
Jeg ved, at kanalen bliver klemt, men når det gælder den betingelse fra? (At VDS> Vgs-femte).
I stort set kender alle, hvad der sker der, og ønsker at forstå intuitivt ...
Ligesom jeg virkelig se, hvad det sker i en bipolar transistor, der får mættet når samlerbrug nuværende kan ikke følge β * Ib regel på grund af den begrænsede samlerbrug potentiale.

Kommer tilbage til MOSFET saturation betingelse ...Er det bare matematisk trækkes?Hvordan kan du fyre se det, og hvis vi skal tage et eksempel fra lad os sige, væsker og rør ... kan du lyser pæren for mig?
Jeg håber, jeg ikke generer,
Thanks a lotLagt efter 37 minutter:Beklager,
men bare efter at jeg har indsendt jeg så det ikke netop er det forum, hvor jeg skulle bede.
Er bare min første kontakt med denne diskussion bord det
er derfor, jeg
har været forvirret

 

[tariq786]

De bør henvise til CMOS VLSI design
3. udgave af David Haaris og Neil Veste.

Så vidt jeg husker, mætning betyder hastighedsresponsen transportvirksomheder er mættet.

Jeg anmoder om andre mere kvalificerede medlemmer til at kaste lidt lys

 

[Dinamovist]

Tak,

Jeg
vil tage et kig

 

[animeshjn]

Som VDS stigninger til at være lig med Vgs-Vt, den inversion layer massefylde ved drain udgangen af kanalen bliver nul og kanal bliver knivspids off.Som VDS stigninger over Vgs-Vt længden af knivspids off region stiger, og mens den for inversion lag aftager (Du skal være vidende kanal længde graduering).Spændingen anvendes hele inversion lag er altid Vdsat = Vgs - Vt og dermed den aktuelle maettede.

 

[abhisheksbox]

Mætning betingelse for mosfets er condiction når antallet af mindretal charge transportørers kanalen bliver lig med numbe af mejority charge luftfartsselskaber i dyb substrat.

 

[animeshjn]

abhisheksbox wrote:

Mætning betingelse for mosfets er condiction når antallet af mindretal charge transportørers kanalen bliver lig med numbe af mejority charge luftfartsselskaber i dyb substrat.

 

[abhisheksbox]

Animesh U kan finde en forklaring af dette begreb i Razavi og også i nogen god enhed fysik bog.