R
raaj_aryan
Guest
Hvorfor er en transistor kaldes en løbende kontrolleret enhed?
Pl detaljer med teorien ..
Pl detaljer med teorien ..
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
R
raduga_in
Guest
Transistor ..Jeg formoder, du henviser til Bipolar Junction Transistor ..Her kan du vide, at
indsamler løbende er proportional med base nuværende
som
Ic = (Beta) Ib dermed ..her Ib er input nuværende
Ane Ic er udgangsstrøm ..så vi kaldte det en løbende
kontrolleret enhed.
indsamler løbende er proportional med base nuværende
som
Ic = (Beta) Ib dermed ..her Ib er input nuværende
Ane Ic er udgangsstrøm ..så vi kaldte det en løbende
kontrolleret enhed.
J
JoseLeonardo
Guest
Hvis du vil vide mere om dette emne, kan du læse Boylestad, Sedra, Rashid, blandt andre.
K
kaps_nit
Guest
Citat:
Transistor ..
Jeg formoder, du henviser til Bipolar Junction Transistor ..
Her kan du vide, at
indsamler løbende er proportional med base nuværende
somIc = (Beta) Ib dermed ..
her Ib er input nuværende
Ane Ic er udgangsstrøm ..
så vi kaldte det en løbende
kontrolleret enhed.
Transistor ..
Jeg formoder, du henviser til Bipolar Junction Transistor ..
Her kan du vide, at
indsamler løbende er proportional med base nuværende
somIc = (Beta) Ib dermed ..
her Ib er input nuværende
Ane Ic er udgangsstrøm ..
så vi kaldte det en løbende
kontrolleret enhed.
B
bhatt_tanmay
Guest
hi fordi i transistor der er primært 3 strømme, nemlig, IB, IC og IE = IB IC for yderligere refernce u kan se arbejde og forklaring på "Transistor Current FLOW mekanisme" i nogen af de STANDARD bog i elektronik
C
Cesare
Guest
En bipolar transistor siges at være løbende kontrolleres, for når det er partisk i sin aktive region output (indsamleren) nuværende styres fra input (base) nuværende.
En bipolar trasistor siges at være i den aktive region, hvor BE vejkryds er fremad partisk, mens CB vejkryds omvendte er partisk (eller omvendt)
I denne situation samleren nuværende afhænger hovedsageligt af base løbende via β (Ic = β * Ib) og kun marginalt (anden ordens effekt) fra kollektor Spænding (Early effekt).Også β afhænger Ic.
En bipolar trasistor siges at være i den aktive region, hvor BE vejkryds er fremad partisk, mens CB vejkryds omvendte er partisk (eller omvendt)
I denne situation samleren nuværende afhænger hovedsageligt af base løbende via β (Ic = β * Ib) og kun marginalt (anden ordens effekt) fra kollektor Spænding (Early effekt).Også β afhænger Ic.
W
white_shadow
Guest
Det er nok bedst ses i et lille signal model.IB kan siges at kontrollere IC.
V
vahshat
Guest
Det BJT transistorer er bedst respons for u
de har IC og IB og IE
ic = (beta) ib
ie = (alfa) ic
alfa = (beta) / (beta 1)
de har IC og IB og IE
ic = (beta) ib
ie = (alfa) ic
alfa = (beta) / (beta 1)
S
saim2k
Guest
Fordi spændingen ved indgangen Vbe (base til emmiter spænding) stadig på ca 0.6V og variationen af de nuværende ind i basen contros output variationer (strøm, spænding begge).
D
docel
Guest
Den Transistor blev beskrevet som "Trans-fer af de nuværende tværs af en re-Sistor" af dets opfinder.
Ligegyldigt hvad du gør, Basen bias spænding kan forblive samme eller variere en smule, men basen løbende kan varieres meget, resultingin en tilsvarende stigning i Kollektorstrøm.
(The Base-Emitter vejkryds (diode) er en fast Forward V ~ 0,6 til 0.65vdc. Ligesom alle andre pn junction)
Ligegyldigt hvad du gør, Basen bias spænding kan forblive samme eller variere en smule, men basen løbende kan varieres meget, resultingin en tilsvarende stigning i Kollektorstrøm.
(The Base-Emitter vejkryds (diode) er en fast Forward V ~ 0,6 til 0.65vdc. Ligesom alle andre pn junction)
E
Electronica
Guest
cuz den nuværende i basen styrer spændingen ved opkøber
E
Electronica
Guest
cuz den nuværende i basen styrer spændingen ved opkøber
Z
zhangseong
Guest
for Mosfet, tror jeg er på grund af denne ligning
ID = 1/2Kn 'W / L (Vgs-femte) ^ 2
ID = 1/2Kn 'W / L (Vgs-femte) ^ 2
D
diemilio
Guest
zhangseong skrev:
for Mosfet, tror jeg er på grund af denne ligning
ID = 1/2Kn 'W / L (Vgs-femte) ^ 2
for Mosfet, tror jeg er på grund af denne ligning
ID = 1/2Kn 'W / L (Vgs-femte) ^ 2
S
suvendu
Guest
fordi o / p nuværende er contrlled ved base nuværende ..............
P
pequenińo
Guest
Jeg tror, det er også klart fra tidligere stillinger.Et strømforbrug, den nuværende base i den fælles emmitter fase er den parameter, der gør produktionen variabel, de indsamler løbende går op eller lav.Så indsamler løbende følger variationer input (base) nuværende dikterer.