F
fasto2008
Guest
Dette er et uddrag fil af transistor NMOS når vi kun har et substrat, det er inde i dyb n godt:
*********************** uddrag fil ************************* *****
device = MOSFET (
RLAYER = ntran;
Drain = ndiff, areal, omkreds;
Gate = polytråd;
Source = ndiff, areal, omkreds;
Bulk = subs;
MODEL = NMOS;
)
************************************************** ************
Dette er et krydderi fil udtrukket
******************** krydderi fil udvundet **************************
M1 24 NG2 OUT2 GND NMOS
M2 23 NG1 OUT2 GND NMOS
M3 22 NG0 OUT2 GND NMOS
M4 24 out1 GND GND NMOS
M5 23 out1 GND GND NMOS
M6 22 out1 GND GND NMOS
M7 GND out1 out1 GND NMOS
M8 GND Vin 2 GND NMOS
******************************************
Men vi trække i L-edit TANNER mange substrater relateret til GND, 0.2V, 0.1V, fordi hver anden er inde i dyb n godt.
finder vi kun GND relateret til bulk.and der ikke 0.2V og 0.1V
*********************** uddrag fil ************************* *****
device = MOSFET (
RLAYER = ntran;
Drain = ndiff, areal, omkreds;
Gate = polytråd;
Source = ndiff, areal, omkreds;
Bulk = subs;
MODEL = NMOS;
)
************************************************** ************
Dette er et krydderi fil udtrukket
******************** krydderi fil udvundet **************************
M1 24 NG2 OUT2 GND NMOS
M2 23 NG1 OUT2 GND NMOS
M3 22 NG0 OUT2 GND NMOS
M4 24 out1 GND GND NMOS
M5 23 out1 GND GND NMOS
M6 22 out1 GND GND NMOS
M7 GND out1 out1 GND NMOS
M8 GND Vin 2 GND NMOS
******************************************
Men vi trække i L-edit TANNER mange substrater relateret til GND, 0.2V, 0.1V, fordi hver anden er inde i dyb n godt.
finder vi kun GND relateret til bulk.and der ikke 0.2V og 0.1V